اثر میدان مغناطیسی ثابت در جهت جریان سیال بر ویسکوزیته نانوسیال
Publish place: The 14th Conference of chemical Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,437
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NICEC14_615
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
Abstract:
ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول-Fe3O 4تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال بهطور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسیویسکوزیته نانوسیال کاهش مییابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند.
Keywords:
Authors
حامد کریمی
دانشجوی کارشناسی ارشد ، دانشگاه صنعتی اصفهان
نسرین اعتصامی
عضو هیت علمی ، دانشگاه صنعتی اصفهان
محسن نصراصفهانی
عضو هیت علمی ، دانشگاه صنعتی اصفهان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :