سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی عملکرد ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی CNFETs بارویکردی برروشهای بهینه سازی و کاربرد آن درمقایسه با cmos سیلیکانی

Publish Year: 1392
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,866

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

CECIT01_606

Index date: 5 September 2013

بررسی عملکرد ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی CNFETs بارویکردی برروشهای بهینه سازی و کاربرد آن درمقایسه با cmos سیلیکانی abstract

دراین مقاله ابتدا مروری مختصربرتزانزیستورهای نانولوله کربنی CNT خواهیم داشت و سپس به بررسی روشهای بهینه سازی آن خواهیم پرداخت ویژگیهای DC,AC ترانزیستورهای CNFET و بررسی مشخصه های CNFET دردمای بالا نیز نشان داد که برخلاف MOSFET ها جریان زیراستانه دریان قطعات با دما کاهش می یابد بنابراین با استفاده ازCNFET ها دردمای بالا میتوان سرعت بیشتر و نشت کمتر جریان را به دست آورد فرایندهای سنتز جریان CNT ها کامل نیستند یکی ازمباحث جنجالی دراین حوزه وجود نوسان چگالی دررشد CNT است و همچنین تحلیلی ازاعتبار CNFET به دلیل اینکه نوسان چگالی CNT می تواند منجر به شکست کامل CNFET شود بنابراین به بررسی این موضوع نیز پرداخته خواهد شد ودراخر کاربردهای CNFET و مقایسه آن با CMOS با استفاده ازتازه ترین گزارشات ازمدارهای منطقی CNFET را ارایه کرده و یک مبدل دیجیتال به انالوگ DAC فرمان جریان 10 بیتی با استفاده ازCNFET را نیز معرفی خواهیم کرد

بررسی عملکرد ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی CNFETs بارویکردی برروشهای بهینه سازی و کاربرد آن درمقایسه با cmos سیلیکانی Keywords:

بررسی عملکرد ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی CNFETs بارویکردی برروشهای بهینه سازی و کاربرد آن درمقایسه با cmos سیلیکانی authors

مرتضی زیلایی بوری

دانشجوی کارشناسی ارشد

محسن مهران زاده

دانشجوی کارشناسی ارشد

زهرا فرجی

دانشجوی کارشناسی ارشد

سیدرضا طالبیان

استادیاردانشگاه امام رضاع

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
Open Nanoscience Jounal, vol. 1, pp.13-18, 2007 ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بررسی عملکرد ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی CNFETs بارویکردی برروشهای بهینه سازی و کاربرد آن درمقایسه با cmos سیلیکانی" توسط مرتضی زیلایی بوری، دانشجوی کارشناسی ارشد؛ محسن مهران زاده، دانشجوی کارشناسی ارشد؛ زهرا فرجی، دانشجوی کارشناسی ارشد؛ سیدرضا طالبیان، استادیاردانشگاه امام رضاع نوشته شده و در سال 1392 پس از تایید کمیته علمی کنگره ملی مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله سدشاتکی، CNFET ، CNT وDensity Fluctuations هستند. این مقاله در تاریخ 14 شهریور 1392 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 2866 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که دراین مقاله ابتدا مروری مختصربرتزانزیستورهای نانولوله کربنی CNT خواهیم داشت و سپس به بررسی روشهای بهینه سازی آن خواهیم پرداخت ویژگیهای DC,AC ترانزیستورهای CNFET و بررسی مشخصه های CNFET دردمای بالا نیز نشان داد که برخلاف MOSFET ها جریان زیراستانه دریان قطعات با دما کاهش می یابد بنابراین با استفاده ازCNFET ها دردمای بالا میتوان سرعت بیشتر و نشت کمتر ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی عملکرد ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی CNFETs بارویکردی برروشهای بهینه سازی و کاربرد آن درمقایسه با cmos سیلیکانی با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.