استخراج رابطة تحلیلی جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولولههای کربنی ( CNTFET ) در ناحیة زیر آستانه
Publish place: Iranian Physics Conference 1386
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,904
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IPC86_222
Index date: 10 January 2007
استخراج رابطة تحلیلی جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولولههای کربنی ( CNTFET ) در ناحیة زیر آستانه abstract
در این مقاله، ما مدل سازی ترانزیستورهای اثر میدانی با نانولولههای کربنی به عنوان کانال جریان الکتریکی را به صورت تحلیلی انجام داده ایم . برای این منظور، با استفاده ار رابطة بازگشتی که در محاسبات عددی مدل سازی رابطه جریان ولتاژ این ترانزیستورها مورد استفاده قرار می گیرد، وابستگی تابع چگالی حالت ها به سطح انرژی فرمی تقریب زده شده است . ماهیت این تقریب برای ناحیه زیر آستانه درجه دو و برای ناحیه یعد از آستانه نمایی می باشد . در ادامه، با مقایسه نتایج تحلیلی با اندازه گیری های تجربی نشان داده ایم که چنین تقریبی در ناحیة زیر آستامه معتبر است ، اما در ناحیة بعد از آستانه به صورت تحلیلی به پاسخ همگرا نمی رسد . در پایان ، روشی برای مدل سازی ناحیه بعد از آستانه پیشنهاد شده است .
استخراج رابطة تحلیلی جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولولههای کربنی ( CNTFET ) در ناحیة زیر آستانه authors
هادی حسین زادگان
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
مهدی مرادی نسب
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
بهزاد ابراهیمی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
علی افضلی کوشا
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران