طراحی گیتهای منطقی پایه با سرعت بالا و توان پایین با استفاده از ترانزیستوراثرمیدانی نانولوله کربنی
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,633
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCECN01_047
تاریخ نمایه سازی: 7 بهمن 1393
Abstract:
در این مقاله گیت های منطقی NOT، NAND و NOR که از گیت های پایه در طراحی مدارات دیجیتال وپیاده سازی توابع منطقی می باشد، با استفاده از ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله ی کربنی طراحی شده و پارامترهای مختلف آن از قبیل مصرف توان، تاخیر و PDP مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد که با استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله کربنی در گیت های منطقی توان مصرفی و تاخیر کاهش می یابد و این نتایج گویای قابلیت های بالای این گیت ها می باشد. علاوه بر آن به بررسی تغییر قطر نانولوله و تعداد آن بر عملکرد گیت وارونگر پرداخته شد. برای نشان دادن کارایی مدارات دیجیتال مبتنی بر ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله ی کربنی، عملکرد گیت وارونگر در دماها ، فرکانس های کاری و بار خروجی متفاوت نیز با تکنولوژی CMOS مقایسه گردیده است. نتایج این مقاله قابلیت جایگزینی گیت های منطقی رایج با گیت های مبتنی بر نانولوله کربنی در مدارهای دیجیتال را به دلیل مزیت های ذکر شده تایید می کند. مدارات ماسفت با تکنولوژی 32nm و مدارات CNTFET با استفاده از مدل این نوع ترانزیستور که شامل کتابخانه ای از پارامترهای فیزیکی و الکتریکی CNTFET می باشد و در سال 2008 توسط دانشگاه استنفورد ارائه شده، شبیه سازی شده است.
Authors
زهیر کردرستمی
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شیراز، شیراز، ایران
مریم اسفندیار
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، بوشهر، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :