شبیه سازی ممریستور با استفاده از روابط ریاضی
Publish place: National Conference of Technology, Energy & Data on Electrical & Computer Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 539
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TEDECE01_278
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
ممریستور، چهارمین المان بنیادی است که بیش از چهل سال پیش توسط پروفسور لئون چوا به صورت تئوری کشف شد و در کنار سه المان موجود دیگر مقاومت، خازن و سلف در دنیای الکترونیک مطرح شد. اما تا چندی پیش، هنوز ساخت یک نمونه فیزیکی از آن به واقعیت نپیوسته بود؛ تا اینکه سر انجام در سال 8002 شرکتHP ممریستوری با ابعاد نانومتری و ساختار TiO2 آفرید که دارای رفتار پیشبینی شده ممریستوری و پدیده هیسترزیس بود. در این مقاله پس از معرفی خصوصیات و ساختار عمومی ممریستور، با استفاده از روابط ریاضی حاکم بر این قطعه، در محیط سیمولینک نرم افزار متلب شبه سازی شده است و تاثیر فرکانس بر منحنی ولتاژ-جریان آن بررسی شده است
Authors
نصرت زیدونی
گروه برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
ابراهیم فرشیدی
گروه برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :