طراحی و شبیه سازی واحد های حافظه SRAM 7 ترانزیستوری با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,066
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCAEC01_027
Index date: 8 May 2016
طراحی و شبیه سازی واحد های حافظه SRAM 7 ترانزیستوری با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی abstract
در این مقاله واحد های حافظه SRAM مورد مطالعه قرار می گیرد، همچنین به نحوه طراحی سلول های حافظه با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی پرداخته می شود. هدف از این تحقیق معرفی سلول جدید حافظه با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی است که به نسبت به مدل cmos مشابه آن، تأخیر کمتر و نیز توان مصرفی پایین تری داشته باشد. این تحقیق به کمک ابزار شبیه سازی Hspice و با به کارگیری مدل ارائه شده در دانشگاه Stanford (2012) انجام شده است. نتایج نشان می دهد مدارات معرفی شده در مقایسه نمونه های قبلی دارای خصوصیات و پارامترهای مداری بهتری هستند. همچنین با توجه به شبیه سازی انجام شده در نرم افزار Hspice دینامیک حدود 10% و PDP حدود 34% کاهش یافته است.
طراحی و شبیه سازی واحد های حافظه SRAM 7 ترانزیستوری با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی Keywords:
طراحی و شبیه سازی واحد های حافظه SRAM 7 ترانزیستوری با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی authors
حلیمه طاهریان
گروه کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
پیمان کشاورزیان
گروه کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی کرمان