تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل
Publish place: Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 846
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0578
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
ناپایداری با دریفت در یک ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) بصورت یک تغییر زمانی یکسو نسبتاً کند در ولتاژ آستانه، و در نتیجه در جریان درین پدیدار می شود که در غیاب نوسانات در غلظت یون ها در محلول رخ می دهد. در این مقاله یک روش مداری برای تصحیح ناپایداری یا دریفت در ترانزیستورهای حساس به یون هیدروژن ارائه خواهد شد. این روش، با تکیه بر این مشاهده تجربی که پلاریته دریفت در ولتاژ آستانه در ISFET های کانال n- و کانال p- مخالف یکدیگر است، برای تصحیح و یا کاهش ناپایداری از یک تقویت کننده وارونگر، متشکل از یک جفت ISFET مکمل بهره می گیرد. در آرایش پیشنهادی برای تقویت کننده وارونگر گیت مشترک یک جفت ترانزیستور حساس به یون مکمل ( کانالn- و کانال p- ) در معرض محلول الکترونیکی قرار می گیرد و درین مشترک جفت مکمل خروجی حسگر را تشکیل می دهد. روش پیشنهادی بصورت تحلیلی توجیه و درستی عملکرد آن براساس نتایج شبیه سازی مدار با نرم افزار SPICE تایید شده است.
Authors
حامد ابراهیمی
دانشگاه صنعتی همدان، دانشکده مهندسی پزشکی، همدان، ایران
شهریار جاماسب
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی همدان، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :