طراحی و آنالیز 6T SRAM با استفاده از تکنیک قرار دادن ترانزیستور پشته همزمان با به اشتراک گذاشتن ناحیه دیفیوژن مشترک در میان هر word line و جفت معکوس کننده

طراحی و آنالیز 6T SRAM با استفاده از تکنیک قرار دادن ترانزیستور پشته همزمان با به اشتراک گذاشتن ناحیه دیفیوژن مشترک در میان هر word line و جفت معکوس کننده abstract

تقاضا برای SRAM به دلیل تبدیل شدن آن به جزء اصلی بسیاری از تراشه ها و همچنین کارآرایی بالا در مدارات VLSI، در حال افزایش است و توان مصرفی تبدیل به جز اصلی طراحی تراشه ها شده است. در این مقاله به شبیه سازی و آنالیز سلول 6T SRAM با استفاده از تکنیک پشته کردن جهت کاهش توان مصرفی همزمان با به اشتراک گذاشتن ناحیه دیفیوژن مشترکی در میان هر word line و جفت معکوس کننده پرداخته ایم. معماری مورد نظر با استفاده از نرم افزار Micro wind و با تکنولوژی 0.25 m طراحی و شبیه سازی شده و توان مصرفی و تأخیر در آن مورد بررسی قرار گرفته است

طراحی و آنالیز 6T SRAM با استفاده از تکنیک قرار دادن ترانزیستور پشته همزمان با به اشتراک گذاشتن ناحیه دیفیوژن مشترک در میان هر word line و جفت معکوس کننده Keywords:

سلول 6T SRAM , توان مصرفی , VLSI , تأخیر , کارآیی بالا

طراحی و آنالیز 6T SRAM با استفاده از تکنیک قرار دادن ترانزیستور پشته همزمان با به اشتراک گذاشتن ناحیه دیفیوژن مشترک در میان هر word line و جفت معکوس کننده authors

مجتبی سالمی

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق،دانشگاه پیام نور تهران واحد تهران شمال،ایران

سیدجواد جوادی مقدم

عضو هیئت علمی دانشگاه پیام نور، دانشگاه پیام نور تهران واحد تهران شمال، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

Y. Nakagome, M. Horiguchi, T. Kawahara, K. Ttoh, "Review and ...

K. Itoh, "Low-voltage embedded RAMs in the nanometer era, " ...

Abhishek Agal et al Int. _ 6T SRAM Cel Design ...

C-T. Chu, X. Zhang, L. He and T. Jing, "Temperature ...

S. Dutta, S. Nag, K. Roy, :ASAP: A transistor sizing ...

Sapna Singh, Neha Arora , Neha Gupta, Meenakshi Suthar _ ...

Saurabh, P. Srivastava. "Low Power 6T -SRAM, " Emerging Electronics ...

نمایش کامل مراجع

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/503885

Document National Code:

ICELE01_040

Index date: 11 September 2016

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

سالمی، مجتبی و جوادی مقدم، سیدجواد،1395،طراحی و آنالیز 6T SRAM با استفاده از تکنیک قرار دادن ترانزیستور پشته همزمان با به اشتراک گذاشتن ناحیه دیفیوژن مشترک در میان هر word line و جفت معکوس کننده،کنفرانس بین المللی مهندسی برق،Tehran،https://civilica.com/doc/503885

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1395، سالمی، مجتبی؛ سیدجواد جوادی مقدم)
برای بار دوم به بعد: (1395، سالمی؛ جوادی مقدم)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Payame Noor University

Type of center: پیام نور

Paper count: 100,923

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.

Related papers

مقاله فارسی "طراحی و آنالیز 6T SRAM با استفاده از تکنیک قرار دادن ترانزیستور پشته همزمان با به اشتراک گذاشتن ناحیه دیفیوژن مشترک در میان هر word line و جفت معکوس کننده" توسط مجتبی سالمی، دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق،دانشگاه پیام نور تهران واحد تهران شمال،ایران؛ سیدجواد جوادی مقدم، عضو هیئت علمی دانشگاه پیام نور، دانشگاه پیام نور تهران واحد تهران شمال، ایران نوشته شده و در سال 1395 پس از تایید کمیته علمی کنفرانس بین المللی مهندسی برق پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله سلول 6T SRAM، توان مصرفی، VLSI، تأخیر، کارآیی بالا هستند. این مقاله در تاریخ 21 شهریور 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 884 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که تقاضا برای SRAM به دلیل تبدیل شدن آن به جزء اصلی بسیاری از تراشه ها و همچنین کارآرایی بالا در مدارات VLSI، در حال افزایش است و توان مصرفی تبدیل به جز اصلی طراحی تراشه ها شده است. در این مقاله به شبیه سازی و آنالیز سلول 6T SRAM با استفاده از تکنیک پشته کردن جهت کاهش توان مصرفی همزمان ... . برای دانلود فایل کامل مقاله طراحی و آنالیز 6T SRAM با استفاده از تکنیک قرار دادن ترانزیستور پشته همزمان با به اشتراک گذاشتن ناحیه دیفیوژن مشترک در میان هر word line و جفت معکوس کننده با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.