شبیه سازی عددی اثر میدان مغناطیسی بر جابه جایی آزاد نانوسیال در یک حفره با استفاده از روش شبکه بولتزمن
Publish place: اولین کنفرانس بین‌المللی مهندسی مکانیک و هوافضا
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 710
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
MECHAERO01_245
Index date: 11 September 2016
شبیه سازی عددی اثر میدان مغناطیسی بر جابه جایی آزاد نانوسیال در یک حفره با استفاده از روش شبکه بولتزمن abstract
در این مقاله جابه جایی آزاد یک نانو سیال در یک حفره گرم شده از کف در حضور یک میدان مغناطیسی خارجی به صورت عددی با استفاده از روش شبکه بولتزمن مورد بررسی قرار گرفت. حفره مربعی از مخلوط کرسن کبالت پرشده است. این بررسی با دیگر کارهای تجربی و عددی مقایسه شده و هماهنگی قابل قبولی مشاهده شد. مشخصات ترموفیزیکی نانوسیال را به جز چگالی که متغیر است و از مدل تقریب بوزینسک استفاده شده است را ثابت فرض می کنیم. اثر عدد رایلی ،ضریب مغناطیسی، طول منبع گرما و کسر حجمی کبالت در سیال و مشخصات انتقال گرما مورد برسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که با افزایش اعداد رایلی ،طول منبع گرمایی و کسر حجمی، مقادیر دما نیز افزایش پیدا می کند. عدد ناسلت رابطه مستقیمی با عدد رایلی و طول منبع حرارتی و رابطه معکوسی با کسر حجمی کبالت دارد. همچنین هرچه ضریب مغناطیسی کوچکتر باشد پروفیل دمایی افزایش خواهد یافت
شبیه سازی عددی اثر میدان مغناطیسی بر جابه جایی آزاد نانوسیال در یک حفره با استفاده از روش شبکه بولتزمن Keywords:
شبیه سازی عددی اثر میدان مغناطیسی بر جابه جایی آزاد نانوسیال در یک حفره با استفاده از روش شبکه بولتزمن authors
سعید رحمانی
دانشجوی کارشناسی ار شد , دانشگاه آزاد اسلامی واحد تاکستان
میلاد طاهرخانی
دانشجوی کارشناسی ار شد , دانشگاه آزاد اسلامی واحد تاکستان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :