سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

کاربرد فین فت ها در مدارهای آنالوگ

Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,584

This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

NCAEC02_037

Index date: 27 April 2017

کاربرد فین فت ها در مدارهای آنالوگ abstract

کاهش مقیاس تکنولوژی CMOS به ناحیه نانومتر وارد شده است و بنابر این FinFET ها با تکنولوژ های حاضر جایگزین شده اند، FinFET اثرات کانال کوتاه کاهش یافته، ترارسانایی بالاتر و ولتاژ زیر آستانه ایده آلی دارد. نظر به اینکه FinFET ها برای کاربردهای دیجیتال ایده آل هستند، آنها همچنین برای کاربردهای فرکانس رادیویی(RF) خطی، مانند مخابرات بی سیم، به دلیل قابلیت آنها به سروکار داشتن با مدولاسیون ترا هرتز بزرگ رقیب قدرتمندی خواهند بود. این مدارات منافع بزرگی بر حسب مساحت، توان و سرعت با استفاده از FinFET تحریک شده بطور مستقل، به دلیل تابع پذیری قابل تنظیم آن، فراهم می کنند. حالت تحرک شده بطور مستقل را می توان بکار برد تا ترانزیستورهای FinFET موازی را در مسیرهای غیر بحرانی ترکیب نمود و در نتیجه کاهش در اتلاف توان و خازن سوییچینگ موثر فراهم می شود. تنظیم پذیری FinFET ها بطور چشمگیری توسط طراحان آنالوگ پذیرفته نشده است از آنجایی که کارایی های FinFET ها در کاربردهای میکس نمودن RF منتشر شده اند. در این مقاله، بلوک های مداری آنالوگ مختلف با استفاده از FinFET ها تحقق داده می شود که گیت پشتی به منظور تنظیم نمودن مدارات استفاده خواهد شد. ما نشان خواهیم داد که چطور مدارات توان پایین فشرده شامل مدار تقویت کننده CMOS، مدار تقویت کنده ترارسانایی عملیاتی(QTA) و مدار تقویت کننده عملیاتی (op-amp) امکان ساخته شدن و تنظیم شدن را با استفاده از FinFET ها دارند.

کاربرد فین فت ها در مدارهای آنالوگ Keywords:

مدارهای آنالوگ , فین فت ها , تقویت کننده CMIS , تقویت کننده ترارسانایی , تقویت کننده عملیاتی آنالوگ با فین فت

کاربرد فین فت ها در مدارهای آنالوگ authors

رمضان عاقبتی

دانشجوی ارشد، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری

جواد باعدی

استاد گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه حکیم سبزواری

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
nd Nationlal conference _ _ i1 _ atd conputer 7 ...
B. Yu, H. Wang, A. Joshi, Q. Xiang, E. Ibok, ...
H. S. P.Wong, Beyond the c onventionalM, SFET, " in ...
K. Suzuki, T. Tanaka, Y. Tosaka, H. Horie, Y. Arimoto, ...
Electronics, vol .3 7, no. 2, pp. 327-332, 1994. [4] ...
p arameter- dependent model for subthreshold swing S in double-gate ...
K. SuzukiandT. Sugii , Analytical models for n+-p+ double-gate SOIMOSFET ...
P. Beckett, +ow-power spatial computing using dynamic threshold devices, " ...
G. Pei and E. C. Kan, 4ndependently driven DG MOSFETs ...
IEEE Electron Device Letters, vol. 26, no. 9, pp. 664-666, ...
L .Mathew, Y. Du, A.V .heanetal. , sMOS vertical Multiple ...
S. Varadharajan and S. Kaya, Study of dual-gate SOIMOSFET as ...
C. H. Lin, P. Su, Y. Taur et al., circuit ...
2] M .Masahara, Y _ Liu, K. Sakamotoetal , Bemon ...
T. Cakici, A. Bansal, and K. Roy, _ low power ...
A. Kumar, B. A. Minch, and S. Tiwari, +ow voltage ...
S. Szczepanski, S. Koziel, and E. S anchez- Sinencio, Einearized ...
SK Gupta, GG Pathak, D Das, C Sarma, 2011, Design ...
App _ i cations , International Jourmal of Wisdom Based ...
Kushwah R.s and Akashe S., 2013, FinFET Based Tunable Analog ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "کاربرد فین فت ها در مدارهای آنالوگ" توسط رمضان عاقبتی، دانشجوی ارشد، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری؛ جواد باعدی، استاد گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه حکیم سبزواری نوشته شده و در سال 1395 پس از تایید کمیته علمی دومین کنفرانس ملی دستاورهای نوین در برق وکامپیوتر پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله مدارهای آنالوگ، فین فت ها، تقویت کننده CMIS، تقویت کننده ترارسانایی، تقویت کننده عملیاتی آنالوگ با فین فت هستند. این مقاله در تاریخ 7 اردیبهشت 1396 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 2584 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که کاهش مقیاس تکنولوژی CMOS به ناحیه نانومتر وارد شده است و بنابر این FinFET ها با تکنولوژ های حاضر جایگزین شده اند، FinFET اثرات کانال کوتاه کاهش یافته، ترارسانایی بالاتر و ولتاژ زیر آستانه ایده آلی دارد. نظر به اینکه FinFET ها برای کاربردهای دیجیتال ایده آل هستند، آنها همچنین برای کاربردهای فرکانس رادیویی(RF) خطی، مانند مخابرات بی سیم، به ... . برای دانلود فایل کامل مقاله کاربرد فین فت ها در مدارهای آنالوگ با 13 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.