تمام جمع کننده سه ارزشی مبتنی بر تکنولوژی نانو لوله های کربنی
Publish place: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 666
This Paper With 13 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_384
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
Abstract:
رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، همواره با مزایای دور از انتظاری است که چالش های فراوانی را نیز فرا روی متخصصین الکترونیک قرار داده است. در این مقاله مدار جمع کننده سه سطحی با استفاده از فناوری نانولوله کربنی مرد بررسی قرار گرفته است. طرح مدار با استفاده از شبیه ساز HSPICE و مدل ترانزیستور CNTFET ارایه شده توسط دانشگاه استنفورد در سال 2008 ، شبیه سازی شده و با استفاده از تحلیل گذاری که این شبیه ساز به ما می دهد مقدار توان مصرفی و همچنین تاخیر مدار را در شرایط مختلف بدست آورده شده و نتایج بدست آمده حاکی از ان است که توان مصرفی و تاخیر انتشار مدار و تعداد ترانزیستور ها به طور چشم گیری نسبت به طرح های قبلی کاهش یافته است.
Keywords:
Authors
هدیه زارع مهریزی
گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران.
مریم نیری
گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :