کاهش جریان تاریک و افزایش بهره در ساختار دیود نوری بهمنی ایندیم آرسناید بالایه محبوس کننده

در این مقاله تحلیل و بررسی بهره بهمنی و جریان تاریک دیود نوری بهمنی InAs انجام گرفت است بهره بهمنی با تزریق الکترون خالص شروع شده و با افزایش ولتاژ، مقدار بهره افزایش می یابد. مشاهده شده است ناهمگونی بین InAs و لایه محبوس کننده (فرمول در متن اصلی مقاله) وجود دارد. دراین حالت وقتی افزاره را با ولتاژ vb=16 ولت، بایاس می کنیم الکترون نفوذی داخل لایه نوع p,n به دلیل ماده با شکاف باند پهن محبوس می ماند. برای داشتن بهره بهمنی بالا، ناحیه ذاتی را 12 میکرومتر در نظر گرفته تا شاهد بهره حدود 400 در ولتاژ بایاس 8 ولت باشیم. عدم یونیزاسیون حفره نویز اضافی پایین را به همراهداشته و بهره بهمنی را افزایش می دهد.

Keywords:

بهره بهمنی , جریان تاریک , ناحیه ذاتی , یونیزاسیون حفره