ساخت و بررسی غشا ماتریس آمیخته پلی اترسولفون/نانوذرات مغناطیسی هتروپلی اسید

در این تحقیق، ابتدا نانوذرات مغناطیسی (H(3)PW(12)O(40)/SiO(2)@Fe(3)O(4 به روش شیمیاییسنتز شد. نانوذرات سنتز شده با استفاده از آنالیز FT-IR توصیف شدند. سپس، غشا ماتریس آمیخته پلی اترسولفون با درصدهای متفاوت از نانو ذره مذکور تهیه شد. ساختار غشاهای ساخته شده با عکس های SEM مورد ارزیابی قرار گرفت. همچنین، خواص غشا از جمله شار آب خالص، آبدوستی، شعاع میانگین حفرات و تخلخل اندازه گیری شد. در نهایت، عملکرد گرفتگی غشا با استفاده از عبور آب پنیر از غشاهای ساخته شده مورد ارزیابی قرار گرفت. مشاهده شد که غشا با 0/5% وزنی از نانوذره کمترین میزان گرفتگی را دارا می باشد.

Keywords:

نانوذرات , هتروپلی اسید , غشا ماتریس آمیخته , پلی اترسولفون , گرفتگی , شار , (Fe(3)O(4 عامل دار شده