بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده
Publish place: سومین کنفرانس سراسری مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 559
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ECIE03_032
Index date: 12 January 2018
بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده abstract
دراین مقاله مدل مداری ساختارترانزیستور I-gate مورد بررسی قرارگرفته است پارامترهای مدل مورد بررسی بااستفاده ازنتایج شبیه سازی ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده باطول کانال 45نانومتر تنظیم شدها ست اثرتغییرات غلظت نوار P دراتصال بدنه I-gate برروی ساختاربررسی گردید و نمودارهای مربوطه رسم گردید باتوجه به دوپینگ های مختلف ساختارمیتوان نتیجه گرفت که نوارمیانی استفاده شده دراین ساختاردوپینگش ازیک مقدار معین نمی تواند کمتر باشد زیرااستفاده ازدوپینگ نامناسب باعث بالا رفتن مقاومت بدنه و درنتیجه ولتاز بدنه میشود میزان غلظت مناسب بدست آمده برای این ساختار 1e18 cm3 است
بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده Keywords:
بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده authors
طاهره محمودی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه شهرکرد
آرش دقیقی
دانشیاردانشگاه شهرکرد