بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده
Publish place: سومین کنفرانس سراسری مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 490
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECIE03_032
تاریخ نمایه سازی: 22 دی 1396
Abstract:
دراین مقاله مدل مداری ساختارترانزیستور I-gate مورد بررسی قرارگرفته است پارامترهای مدل مورد بررسی بااستفاده ازنتایج شبیه سازی ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده باطول کانال 45نانومتر تنظیم شدها ست اثرتغییرات غلظت نوار P دراتصال بدنه I-gate برروی ساختاربررسی گردید و نمودارهای مربوطه رسم گردید باتوجه به دوپینگ های مختلف ساختارمیتوان نتیجه گرفت که نوارمیانی استفاده شده دراین ساختاردوپینگش ازیک مقدار معین نمی تواند کمتر باشد زیرااستفاده ازدوپینگ نامناسب باعث بالا رفتن مقاومت بدنه و درنتیجه ولتاز بدنه میشود میزان غلظت مناسب بدست آمده برای این ساختار 1e18 cm3 است
Keywords:
Authors
طاهره محمودی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه شهرکرد
آرش دقیقی
دانشیاردانشگاه شهرکرد