بررسی تأثیر ساختار سطحی لایه های نازک نقره انباشت شده روی Si بر خواص الکتریکی لایه ها تحت تأثیر پارامترهای انباشت

Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,257

This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ISSE10_132

تاریخ نمایه سازی: 1 فروردین 1388

Abstract:

در این پژوهش خصوصیات ساختاری لایه های نازک نقره انباشت شده روی سیلیکون تحت شرایط مختلف انباشت بررسی شد. لایه های مذکور به روش کندوپاش مغناطیسی تهیه شدند. با تغییر پارامترهای انباشت نظیر ضخامت از 60-1000nm و دمای زیرلایه تا حدود 300c اثرات انها مورد بررسی قرار گرفت. آنالیز میکروسکوپ الکترونی (SEM) برای بررسی ساختار سطحی روی نمونه ها صورت گرفت و تأثیر ساختار سطحی بر خواص الکتریکی توسط چهارسوزنه خطی اندازه گیری شد. نتایج حاکی از رشد اندازه دانه ها در سطح با افزایش ضخامت و افزایش دمای زیرلایه بودند. آنالیز پراش پرتو (XRD)X نشان از تغییر اندازه دانه ها مطابق با مدل ساختار منطقه ای داشت و با نتایج حاصل از تصاویر میکروسکوپ الکترونی لایه های نقره که به صورت گرم انباشت شده اند هم خوانی دارد.

Authors

اکبر زنده نام

گروه فیزیک دانشگاه اراک

عبدالعلی ذوالانواری

گروه فیزیک دانشگاه اراک

آرزو شفیعی

گروه فیزیک دانشگاه اراک

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • هادی سوالونی، مبانی علم سطح در نانو فناوری، 1383، جلد ...
  • Kah Yoong Chan, at-el, Micro electronic S Journal, 37 _ ...
  • L. Eckertova, _ _ 1990, plenum press ...
  • O. Akhavan, A. Z. Moshfegh, Appl. Surf. Sci, 254, (2007), ...
  • N.Marechal, E. Quesnel , Y.Pauleau, J. Vac. Sci. Technol. A, ...
  • _ _ ---T=300(K) 5 . _ Tsub=400(K) = 2000 _ ...
  • نمایش کامل مراجع