بررسی و محاسبه تیوری ولتاژ شکست حالت روشن در افزاره سیلیکون روی عایق با طول کانال 54 نانومتر
Publish place: National Conference on the Application of New Technologies in Science and Engineering, Electrical and Computer and IT
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 528
This Paper With 16 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TESCONF01_037
تاریخ نمایه سازی: 16 تیر 1397
Abstract:
شکست در افزاره های ماسفت سیلیکون روی عایق بر اثر جریان یونیزاسیون برخوردی الکترون ها در نزدیکی ترمینال درین ایجاد می شود که توسط ترانزیستور دو قطبی پارازیتی تقویت می شود. ولتاژ شکست پایین، یکی از مشکلات مهم در افزاره های کانال کوتاه می باشد. افزاره های ماسفت سیلیکون روی عایق، بر اثر پدیده بدنه شناور، در مقایسه با افزاره های ماسفت بدنه سیلیکون شکست متفاوتی دارند. در این مقاله مکانیسم شکست در افزاره های سیلیکون روی عایق بررسی شده و فرآیند شکست را مدل سازی کرده ایم و به طور مفصل به بررسی مکانیسم شکست حالت روشن و تاثیر مقاومت بدنه بر این مکانیسم در افزاره های سیلیکون روی عایق با طول کانال 45نانومتر پرداخته شده است، تاثیر مقدار مقاومت بدنه بر ولتاژ شکست حالت روشن، به صورت تیوری بررسی شده است.
Keywords:
Authors
لیلا شکیبا
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه شهرکرد
آرش دقیقی
دانشیار گروه برق الکترونیک,دانشگاه شهرکرد , شهرکرد,ایران