محاسبه خاصیت دی الکتریکی لایه های نازک SiO2 و Ta2O5 با استفتده از الگوی صفحات موازی
Publish place: 09th Iranian Seminar on Surface Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,265
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE09_124
تاریخ نمایه سازی: 3 آبان 1388
Abstract:
دراین الگو نیروی جاذبه بین سوزن میکروسکوپ نیرو اتمی و سطح را برای لایه ی نازکی از جنس Ta2O5 _ SiO2 و ترکیبات مشابه که روی زیر لایه Si نوع N قرار دارد با اعمال ولتاژ بایاس ثابت محاسبه شده است بر هم کنش غالب بین سوزن و سطح نیروی واندروالس بوده ولی هنگامی که ولتاژ بایاس مناسبی به سیستم وارد میشود نیروی جاذبه افزایش یافته که ناشی از بر هم کنش کلونی است نتایج بدست آمده حاکی از خاصیت ضعیف تر دب الکتریکی Ta2O5 نسبت به Sio2 بر خلاف انتظرات تئوری است.
Authors
عبدالعلی ذوالانواری
گروه فیزیک دانشگاه اراک
رضا مهردار قائم مقامی
گروه فیزیک دانشگاه اراک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :