مقایسه تکنولوژیهای CMOS و CNTFET براساس شبیه سازی مالتی پلکسر مبتنی بر گیت های معکوس پذیر در نرم افزار HSPICE
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 549
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCECE04_085
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397
Abstract:
در این مقاله مالتی پلکسر 2x1 و 4x1 توسط گیت های معکوس پذیر Fredkin در دو تکنولوژی CMOS و CNTET طراحیی وشیبهسازی شده است. توان مصرفی مالتی پلکسر معکوس پذیر توسط نرم افزار HSPICE و مدل CNTFET ارایه شده توسط دانشگاه استنفورد که در سال 2008 ارایه شده و شامل پارامترهای فیزیکی والکتریکی ترانزیستورهای CNTFET می باشد شبیه سازی کرده و با استفاده از تحلیل حالت گذار مقدار توان مصرفی محاسبه شده است. جهت اعتبار عملکرد طرح پیشنهادی توان مصرفی مدار با توان مصرفی در تکنولوژی CMOS مقایسه شده است.
Keywords:
حاصل ضرب توان- تاخیر , ترانزیستورهای نانولوله کربنی و مالتی پلکسر معکوس پذیر
Authors
علی راهنمایی
دانشکده فنی و مهندسی، واحد اردبیل، دانشگاه آزاد اسلامی، اردبیل، ایران
سیدعلی صدیق ضیابری
استاد یار گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رشت