بررسی عملکرد آنالوگ ترانزیستورهای FD SOI با تکنولوژی دو گیت عایق شده فلزی در مقیاس نانو برای کاربردهای فرکانس بالا
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 396
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELCM04_080
تاریخ نمایه سازی: 30 شهریور 1400
Abstract:
ساختارهای ماسفت کاملا تخلیه شده سیلیکون بر روی عایق (FD SOI) به دلیل مصونیت نسبت به اثرات مختلف کوچک سازی و پیچیدگی کمتر در طراحی، در مقایسه با سایر ساختارهای ماسفت مانند FinFET ، مورد توجه چشمگیر قرار گرفته اند. در این مطالعه ، به منظور بررسی کاربردهای آنالوگ کم مصرف و فرکانس بالا ، ماسفت FD SOI معمولی با یک افزاره دو گیتی مورد مقایسه و تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. مشخص گردید که ساختار FD SOI دو گیتی عایق شده با دو فلز، ضمن ارایه هدایت انتقالی بالاتر، فرکانس قطع بیشتری را همراه با ظرفیت خازنی کمتر در مقایسه با افزاره های موجود در همان فناوری نشان می دهد. تمام این مطالعات با استفاده از شبیه ساز ATLAS TCAD انجام شده است.
Keywords:
ترانزیستورهای کاملا تخلیه شده سیلیسیم روی عایق , ترانزیستورهای دوگیتی , فرکانس قطع بالا , ضریب دی الکتریک بالا
Authors
محدثه نوروزی عزیزآباد
دانش آموخته کارشناسی ارشد/گروه مهندسی برق/دانشگاه غیرانتفاعی کادوس رشت
فیض اله خرم روز
دانش آموخته دکترا/گروه مهندسی برق/ دانشگاه آزاد واحد رشت