شبیهسازی راکتورهایCVD جهت تولید رسوب گالیم- آرسنیک GA-AS با استفاده از دینامیک سیالات محاسباتی

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 619

This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICOGPP03_201

تاریخ نمایه سازی: 25 بهمن 1394

Abstract:

در این تحقیق، راکتورهای رسوب گذار بخارات شیمیاییCVD (Chemical Vapor Depositionبرای تهیه نانو ساختارهای نیمه رسانا گالیم - آرسنیکGA-As با استفاده از نرم افزار فلوئنت Fluent مدلسازی شده است. رسوب شیمیایی فاز بخارCVD برای رسوب فیلمهای جامد در حالت گازی روی یک سطح جامد دیگر، استفاده میشود. مواد اولیه انتخاب شده برای انجام این فرایند،گازهای تری متیل گالیم و آرسین بوده و یک مکانیسم واکنش دو مرحلهای برای تشکیل گالیم پیشنهاد شده است. نتایج مدلسازی نشان میدهد که سرعت رشد گالیم - آرسنیک به دمای دیسک گردان و سرعت چرخش زاویهای آن و همچنین به میزان آرسنیکاولیه بستگی دارد. توزیع وزن مولکولی نسبتا بالا در مرکز دیسک گردان نشان میدهد که رسوب در مرکز دیسک بیشتر از سایر نقاط است. با توجه به اهمیت اعداد بدون بعد در طراحی راکتور، توزیع اعداد رینولدز و پرانتل در این گزارش نشان داده شد که بیان میکند سرعت و حرارت هر دو عوامل اصلی در شکل گیری رسوب هستند

Keywords:

رسوب گذاری بخارات شیمیایی , راکتور , فلوئنت , گالیم -آرسنیک GA-As/نیمه رسانا

Authors

مریم ترک زاد

دانشجوی کارشناسی مهندسی شیمی، دانشگاه اردکان

مصیب زمان

استاد گروه مهندسی شیمی، دانشگاه اردکان

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Z Huang, C Liu - 2013 AIChE Spring Meeting and ...
  • Pollard, R., Dabholkar, V. "A model for the dynamics of ...
  • H Ni, S Lu, C Chen _ Journal of Crystal ...
  • AK Mallik, S Bysakh, S Dutta, D Basu - Sadhana, ...
  • J Su, Y Li, Y Liu, M Ding, W Tang ...
  • نمایش کامل مراجع