افزایش درجه خطی تقویت کننده توان با بهبود خازن های غیرخطی در تقویت کننده های توان RF کلاس AB
Publish place: The Second National Conference on New Approaches in Computer and Electrical Engineering
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 650
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BPJ02_285
تاریخ نمایه سازی: 11 آبان 1395
Abstract:
در این مقاله یک روشی برای کاهش اثر خازن های پارازیتی متغیر با ولتاژ در تقویت کننده های توان RF معرفی می شود و با نتایج شبیه سازی نشان خواهیم داد که این روش به درستی می تواند موجب خطی تر شدن تقویت کننده ای توان RF شود. در این روش یک ورکتور به گونه ای با یک ترانزیستور NMOS موازی می شود که کل خازن دیده شده از گره ورودی ترانزیستور متغیر با ولتاژ نداشته باشیم. ساختار ارائه شده توسط تکنولوژی TSMC CMOS 0.18 um شبیه سازی شده اند. نتایج شبیه سازی افزایش درجه خطی در تقویت کننده های توان RF را نشان می دهد.
Keywords:
Authors
ابوالفضل ناظری نژاد
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق و الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
هادی ده بوید
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور،
محمد شعبانی
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :