تمام جمع کننده کم توان مبتنی بر نانو لوله کربنی

مقیاس پذیری به منظور افزایش عملکرد و چگالی قطعات ،تکنولوژی سی موس را با محدودیت های فیزیکی و ذاتی مواجه میسازد. افزایش جریان نشتی ، توان مصرفی بالاتر و اثر تونل زنی نمونه هایی از این محدودیت ها میباشد. یکی از راه حل هایجایگزین این تکنولوژی ، استفاده از فناوری نانو لوله های کربنی است. نانولوله کربنی CNT یکی از فن آوری های نو ظهور در زمینه نانوتکنولوژی است که نشان دهنده ی بهره وری بالا و طیف بسیارگسترده ای از برنامه های کاربردی در بسیاری از حیطه های مختلف علم و فن آوری است. به کارگیری این فناوری در صنعت نانو الکترونیک موجب دستیابی به مداراتی با سرعت بالا ، امکان چگالی مجتمع سازی بالا، توان مصرفی پایین و ... میگردد. یکیدیگر از موارد استفاده نانو لوله های کربنی گیت های منطقی از جمله NAND ، NOR ، XOR ، اینورتر ، نیم جمع کننده و تمام جمع کننده است در این مقاله یک سلول تمام جمع کننده توانپایین با استفاده از ترانزیستورهای نانولوله کربنی اثر میدان 1 ارایه گردید و نتایج شبیه سازی با استفاده از HSPICE بر اساس مدل CNTFET در تکنولوژی 32 نانومتری در مقادیر مختلف دما وVDD انجام شد.

Keywords:

توان پایین , ترانزیستورهای اثر میدان , نانولوله های کربنی , تمام جمع کننده