تکثیر نانو سیم ها Nano wire به روش نانو لیتوگرافی الکترونی

 

نانو لیتوگرافی پرتو الکترونی معمولا در داخل محیط مخصوص یا در تجهیزاتی که مخصوص این کار طراحی شده است انجام می شود. در هر دو مورد ، یک پرتو الکترونی با تمرکز دقیق به طور متوالی در امتداد نمونه اسکن می شود تا مقاومت نشان داده شود.فرایند نانو لیتوگرافی پرتو الکترونی در مقایسه با روش های دیگر به طور ذاتی کند است زیرا پرتو الکترون نیاز به مدت زمان محدودی در هر نقطه نوردهی دارد. به ندرت مشاهده می شود که چندین بار در معرض یک نمونه قرار گیرد. برخی تحولات برای قرار گرفتن در معرض پرتو چند الکترون در حال انجام است .در مقابل مدت زمان طولانی نوردهی ، رزولوشن بسیار بالا (زیر 100 نانومتر) به طور معمول توسط نانو لیتوگرافی پرتو الکترونی به دست می آید و با کمی بهینه سازی و تجهیزات مناسب به محدوده 10 نانومتر می رسد همانطور که در نانو لیتوگرافی پرتو الکترونی رخ می دهد ، مقاومت های مثبت و منفی در نانو لیتوگرافی پرتو الکترونی و همچنین توانایی انجام فرآیندهای بلند کردن که مرحله اچینگ را ذخیره می کند ، موجود است.نانو لیتوگرافی پرتو الکترونی یک تکنیک مناسب برای تحقیقات آزمایشگاهی و نمونه سازی است ، با توجه به اینکه توان عملیاتی یک موضوع مهم نیست و یک راه حل بسیار خوب به دست می آید.به طور مشابه نانو لیتوگرافی پرتو الکترونی ، در مورد نانو فرآیند متکی بر تغییر حلالیت مقاومت پس از قرار گرفتن در معرض است. با این حال ، در نانو لیتوگرافی پرتو الکترونی باید از مقاومت حساس به الکترون به جای عکس گیر استفاده کرد.

فرآیند های صورت گرفته تکثیر نانو سیم ها بر روی  ویفر های سیلیکونی Silicone wafer باعث می شود آرایه های Si Nanowire تولید مثل و یکنواخت تر شود ، و اجازه دهد که خواص نانو سیم ها تنظیم شود.فرایند تکثیر نانو سیم ها همیشه شامل رسوب یک فلز و  پیوند در محلول حاوی اسید هیدروفلوئوریک (HF) و یک اکسید کننده است. سیلیکون فقط در جائیکه نانو ذرات فلزی سیلیکون را لمس می کنند ، حاصل می شود ، در نتیجه واکنش های الکتروشیمیایی همراه با واسطه نانو ذرات هر چه سیلیکون حامل شد ، نانو ذرات به درون نانو ذرات حاصل حرکت می کنند. از آنجا که سیلیکون فقط به صورت محلی طاق شده است ، این فرایند می تواند منجر به ویژگی هایی با نسبت ابعاد بسیار بالا در نانو سیم ها شود.بستر مسطح مفید از ذرات ویفر های سیلیکونی Silicone wafer پیوند با نانو سیم ها و برای کاربردهای بیولوژیکی ، Si (سیلیکون ویفر) دارای خواص مشابه شیشه است و می تواند برای سوار کردن یا رشد ذرات نانو سیم ها استفاده شود. به راحتی می توان آنرا پاک کرد یا به عنوان کل ویفر  تکثیر نانو سیم ها استفاده کرد. آرایه های نانو سیمی سیلیکونی یا SiNW ها آرایه های عمودی نانو سیم های سیلیکون بر روی بستر ویفر سیلیکونی بلوری مسطح هستند . این نانو سیم ها Nano wire توسط یک اکسیداسیون کاتالیزوری و انحلال Si در حضور نانو ذرات کاتالیزور فلزی ساخته می شوند - یک فرآیند خود سازمان یافته که معمولا به عنوان  فرآیند  تقویت  شده  فلزی _ شیمیایی با کمک ویفر های سیلیکونی شناخته می شود.