تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
Index date: 30 July 2016
تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل abstract
تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل Keywords:
تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل authors
دانشگاه صنعتی همدان، دانشکده مهندسی پزشکی، همدان، ایران
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی همدان، ایران
مراجع و منابع این Paper: