سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل

Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 953

This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ELEMECHCONF03_0578

Index date: 30 July 2016

تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل abstract

ناپایداری با دریفت در یک ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) بصورت یک تغییر زمانی یکسو نسبتاً کند در ولتاژ آستانه، و در نتیجه در جریان درین پدیدار می شود که در غیاب نوسانات در غلظت یون ها در محلول رخ می دهد. در این مقاله یک روش مداری برای تصحیح ناپایداری یا دریفت در ترانزیستورهای حساس به یون هیدروژن ارائه خواهد شد. این روش، با تکیه بر این مشاهده تجربی که پلاریته دریفت در ولتاژ آستانه در ISFET های کانال n- و کانال p- مخالف یکدیگر است، برای تصحیح و یا کاهش ناپایداری از یک تقویت کننده وارونگر، متشکل از یک جفت ISFET مکمل بهره می گیرد. در آرایش پیشنهادی برای تقویت کننده وارونگر گیت مشترک یک جفت ترانزیستور حساس به یون مکمل ( کانالn- و کانال p- ) در معرض محلول الکترونیکی قرار می گیرد و درین مشترک جفت مکمل خروجی حسگر را تشکیل می دهد. روش پیشنهادی بصورت تحلیلی توجیه و درستی عملکرد آن براساس نتایج شبیه سازی مدار با نرم افزار SPICE تایید شده است.

تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل Keywords:

دریفت , ناپایداری , ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون , ISFET

تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل authors

حامد ابراهیمی

دانشگاه صنعتی همدان، دانشکده مهندسی پزشکی، همدان، ایران

شهریار جاماسب

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی همدان، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
P. Bergveld, P. (1970), "Development of an Ion-sensitive solid stat ...
Begveld, P., Sibbald, A. (1988), _ Comprehens ive Analytical chemistry", ...
Matsuo, T., Esashi, M. (1981), "Methods of ISFET Fabrication. Sensors ...
Schepel, S.J., DeTooij, N.F., Koning, G., Oeseburg, B., Zijlstra, W.G. ...
Bergveld, P. (1985), "Implantable Sensors for Closed-loop Prosthetic Systems", edited ...
Jamasb, S., and Collins, S.D., Smith, R.L. (1998), _ Physical ...
Jamasb, S. (2004), _ Analytical Technique for Counteracting Drift in ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل" توسط حامد ابراهیمی، دانشگاه صنعتی همدان، دانشکده مهندسی پزشکی، همدان، ایران؛ شهریار جاماسب، دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی همدان، ایران نوشته شده و در سال 1394 پس از تایید کمیته علمی سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله دریفت، ناپایداری، ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون، ISFET هستند. این مقاله در تاریخ 9 مرداد 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 953 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که ناپایداری با دریفت در یک ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) بصورت یک تغییر زمانی یکسو نسبتاً کند در ولتاژ آستانه، و در نتیجه در جریان درین پدیدار می شود که در غیاب نوسانات در غلظت یون ها در محلول رخ می دهد. در این مقاله یک روش مداری برای تصحیح ناپایداری یا دریفت در ترانزیستورهای حساس به یون ... . برای دانلود فایل کامل مقاله تصحیح ناپایداری در ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با بهره برداری از آرایش تقویت کننده وارونگر مکمل با 9 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.