میدان مغناطیسی یک منبع خطی تعبیه شده داخل استوانه ی دارای ضرایب نفوذپذیری مغناطیسی و گذردهی الکتریکی نزدیک صفر و روش تصویر
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 10، Issue: 1
Publish Year: 1398
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 512
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-10-1_003
Index date: 25 February 2020
میدان مغناطیسی یک منبع خطی تعبیه شده داخل استوانه ی دارای ضرایب نفوذپذیری مغناطیسی و گذردهی الکتریکی نزدیک صفر و روش تصویر abstract
در این مقاله میدان مغناطیسی ناشی از یک منبع جریان خطی تعبیه شده داخل یک استوانه ی دارای نفوذپذیری مغناطیسی (μ)و گذردهی الکتریکی (ε) نزدیک صفر یا به طور اختصاری MENZ ، با توجه به کاربرد این ساختار در انتشار همدوسامواج الکترومغناطیسی، مورد مطالعه قرار گرفته است. ابتدا روابط تحلیلی میدان مغناطیسی برای هر دو محیط داخل و بیروناستوانه ی MENZ با استفاده از معادلات ماکسول به دست می آید. سپس اثبات می شود که میدان مغناطیسی داخل ناحیه یMENZ را می توان با استفاده از روش تصویر به دست آورد و بار دیگر رابطه ی به شکل بسته ی میدان مغناطیسی داخلاستوانه ی MENZ با استفاده از روش تصویر استخراج می شود. در پایان، این رابطه با نتایج شبیه سازی عددی مبتنی بر روشاجزا محدود مقایسه میشود تا درستی نتایج عددی محک زده شود. مشاهده می شود که نتایج تحلیلی و عددی با هم تطابقبالایی دارند.
میدان مغناطیسی یک منبع خطی تعبیه شده داخل استوانه ی دارای ضرایب نفوذپذیری مغناطیسی و گذردهی الکتریکی نزدیک صفر و روش تصویر Keywords:
فرامواد دارای گذردهی الکتریکی نزدیک صفر , فرامواد دارای نفوذپذیری مغناطیسی و گذردهی الکتریکی نزدیک صفر , فرامواد دارای ضریب شکست صفر , منبع جریان خطی ثابت , روش تصویر
میدان مغناطیسی یک منبع خطی تعبیه شده داخل استوانه ی دارای ضرایب نفوذپذیری مغناطیسی و گذردهی الکتریکی نزدیک صفر و روش تصویر authors
مصطفی قلیزاده
کارشناسی ارشد برق مخابرات، دانشگاه تربیت مدرس
محسن غفاری میاب
استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تربیت مدرس