پیش بینی کشش سطحی محلول های آبی برخی ایزومرهای هگزان دی ال
Publish place: 15th Iranian Natioanl Congress of Chimical Engineering
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 879
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICHEC15_069
تاریخ نمایه سازی: 19 تیر 1394
Abstract:
ایزومرهای یک ترکیب شیمیایی بواسطهی اختلاف در ساختار شیمیایی بخصوص بعد از قرار گرفتن در محیط آبی رفتار بسیار متفاوتی ارائه میدهند. بر همین اساس دقت پیشبینی میزان کشش سطحی این ایزومر ها در دماها و غلظتهای متفاوت همواره مورد توجه محققین بوده است. در ایین مقاهیه بر اساس داده های تجربی گزارش شده در مقالات، پیشبینی کشش سطحی محلولهای آبی 1و 2 هگزان دی ال، 1و 5 هگزان دی ال وهگزان دی ال به صورت تابعی از غلظت در دماهای 15 303 و /15 ،298/15 ،293/15 ،288/15 ،283/ 2و 5 308/15 کلوین با استفاده از مدلهای Connors و Wright ، Lee و همکاران، Wang-Fu ، Wang-Chen و مدلهای Wilson و NRTL محاسبه شده است . درصد انحراف مطلق متوسط با مقایسه کشش سیطحی محاسبه شده بوسیلهی این مدلها و دادههای آزمایشگاهی برای بررسی عملکرد هریک از مدلها تعیین شد . بهترین نتایج برای محلولهای آبی 1و 2 هگزان دی ال و 1و 5 هگزان دی ال مربوط به مدل Wang-Fu و سپس Wang-Chen میباشد و برای محلول آبی 2و 5 هگزان دی ال ، نتایج یکسانی از مدل Connors و Wright و مدل ترمودینامیکی Wilson به دست آمد.
Keywords:
Authors
المیرا فنائی خسروشاهی
دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی شیمی دانشکده ی فنی مهندسی دانشگاه محقق اردبیلی
امیر حیدری
استادیار گروه مهندسی شیمی دانشکده ی فنی و مهندسی دانشگاه محقق اردبیلی
بهروز میرزایی
استادیار گروه مهندسی شیمی دانشکدهی فنی و مهندسی دانشگاه محقق اردبیلی
امیر ناصر شمخالی
استادیار گروه شیمی فیزیک دانشکده ی علوم دانشگاه محقق اردبیلی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :