طراحی نمونه بردارهای میدان نزدیک در باند تراهرتز و نوری
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 9، Issue: 4
Publish Year: 1397
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 355
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-9-4_006
Index date: 25 February 2020
طراحی نمونه بردارهای میدان نزدیک در باند تراهرتز و نوری abstract
یکی از محدودیت های اساسی در حوزه تصویربرداری تراهرتز و نوری که از ماهیت موجی بودن نور نشات می گیرد و با حدتفرق رلی شناخته می شود، وضوح فضایی محدود به نصف طول موج است. این وضوح برای مطالعه سلول های زیستی،حامل های سیار در نانوافزاره های نیمه هادی، و نیز پدیده های انتقال حرارات و تداخل الکترومغناطیسی در مدارهاینانوالکترونیک، البته ناکافی است. در چند دهه اخیر، تلاش های فراوانی در معرفی و توسعه تکنیک هایی برای غلبه بر اینمحدودیت پایه ای انجام شده است؛ از آن جمله می توان به روش های مبتنی بر استفاده از میدان نزدیک، که ایده آشکارسازیامواج میراشونده را در میان دارد، اشاره نمود. در اکثر روش های پیشنهادی از یک ساختار نمونه بردار برای تمرکز میدان درنزدیکی نمونه و تزویج میدان نزدیک (میرا شونده) به میدان تابشی یا هدایت شونده استفاده می شود. در این مقاله، در ابتداحد تفرق و منشا نظری آن، ضرورت تصویربرداری میدان نزدیک، امکان دستیابی به وضوح زیر طول موجی و عدم مغایرتآن را با اصل عدم قطعیت هایزنبرگ را بطور مختصر مرور می کنیم. در ادامه این پژوهش، با تشریح فرایند طراحی سه نوعساختار بعنوان نمونه بردارهای میدان نزدیک، یعنی؛ موجبر تیغه عایقی غیر تابشی، سیم مسی مخروطی با شیارهای متناوب ونمونه بردار مخروطی ساده، قابلیت تصویربرداری آنها با قدرت تفکیک زیر طول موج را در باند تراهرتز و نوری مورد تحقیققرار می دهیم.
طراحی نمونه بردارهای میدان نزدیک در باند تراهرتز و نوری Keywords:
طراحی نمونه بردارهای میدان نزدیک در باند تراهرتز و نوری authors
احد محبی کلوانق
دانشآموخته کارشناسی ارشد مهندسی برق - مخابرات میدان، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، پردیس دانشکده های فنی، دانشگاه تهران
محمد نشاط
استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، پردیس دانشکده های فنی، دانشگاه تهران